三菱IGBT模塊 CM200DY-24A CM300DY-24A CM150DY-34A CM300DY-34
概述：[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)飽和壓降低、短路承受能力強、驅(qū)動功率小比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊
第五代A系列
采用CSTBTTM硅片技術(shù)飽和壓降低、短路承受能力強、驅(qū)動功率小比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊內(nèi)部寄生電感小功率循環(huán)能力顯著改善
產(chǎn)品型號 參數(shù)說明
CM400HA-24A 1單元，400A/1200V
CM600HA-24A 1單元，600A/1200V
CM600HB-24A 1單元，600A/1200V
CM100DY-24A 2單元，100A/1200V
CM150DY-24A 2單元，150A/1200V
CM200DY-24A 2單元，200A/1200V
CM300DY-24A 2單元，300A/1200V
CM400DY-24A 2單元，400A/1200V
CM600DY-24A 2單元，600A/1200V
CM75DY-34A 2單元，75A/1700V
CM100DY-34A 2單元，100A/1700V
CM150DY-34A 2單元，150A/1700V
CM200DY-34A 2單元，200A/1700V
CM300DY-34A 2單元，300A/1700V
CM400DY-34A 2單元，400A/1700V
采用CSTBTTM硅片技術(shù)飽和壓降低、短路承受能力強、驅(qū)動功率小比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊內(nèi)部寄生電感小功率循環(huán)能力顯著改善
產(chǎn)品型號 參數(shù)說明
CM400HA-24A 1單元，400A/1200V
CM600HA-24A 1單元，600A/1200V
CM600HB-24A 1單元，600A/1200V
CM100DY-24A 2單元，100A/1200V
CM150DY-24A 2單元，150A/1200V
CM200DY-24A 2單元，200A/1200V
CM300DY-24A 2單元，300A/1200V
CM400DY-24A 2單元，400A/1200V
CM600DY-24A 2單元，600A/1200V
CM75DY-34A 2單元，75A/1700V
CM100DY-34A 2單元，100A/1700V
CM150DY-34A 2單元，150A/1700V
CM200DY-34A 2單元，200A/1700V
CM300DY-34A 2單元，300A/1700V
CM400DY-34A 2單元，400A/1700V
- mc3065m發(fā)布的信息
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