三菱IGBT模塊CM100DC1-24NFM CM300DC1-24NFM CM150DC1-24NFM
概述：[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)速度控制的最優(yōu)化飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)30kHz 模塊內(nèi)部寄生電感低
第五代NFM系列
采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)速度控制的最優(yōu)化飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)30kHz 模塊內(nèi)部寄生電感低
產(chǎn)品型號(hào) 參數(shù)說(shuō)明
CM100DC1-24NFM 2單元，100A/1200V
CM150DC1-24NFM 2單元，150A/1200V
CM200DC1-24NFM 2單元，200A/1200V
CM300DC1-24NFM 2單元，300A/1200V
采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)速度控制的最優(yōu)化飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)30kHz 模塊內(nèi)部寄生電感低
產(chǎn)品型號(hào) 參數(shù)說(shuō)明
CM100DC1-24NFM 2單元，100A/1200V
CM150DC1-24NFM 2單元，150A/1200V
CM200DC1-24NFM 2單元，200A/1200V
CM300DC1-24NFM 2單元，300A/1200V
- mc3065m發(fā)布的信息
- 西門(mén)康IGBT模塊SEMiX452GB176HDs SEMiX302GB12E4s SEMiX603G
- [中介]SEMiX302GAL(R)12E4s 1單元，300A/1200V SEMiX223GB12Vs 2單元，225A/1200V...
- 西門(mén)康IGBT模塊SKiM270GD176D SKM400GAR176D SKM200GAL176D
- [中介] 產(chǎn) 品 型 號(hào) 參 數(shù) 說(shuō) 明 SKM145GAL176D 1單元，140A/1700V SKM200GB176D 2單元，200A/1700V SKM200GAL176D 1單元，200A/1700V SKM400GAL176D 1單元，400A...
- 三菱IGBT模塊CM200DU-12NFH CM300DU-12NFH CM400DU-12NFH
- [中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)速度控制的最優(yōu)化 飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品 續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流 開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)60kHz 模塊內(nèi)部寄生電感低...
- 三菱IGBT模塊CM1400DUC-24NF CM900DUC-24NF CM1000DUC-34NF
- [中介]最新的CSTBTTM硅片技術(shù)帶來(lái)：杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝良好的匹配液體冷卻多孔型端子使得接觸阻抗更低，實(shí)現(xiàn)更可靠的長(zhǎng)期電氣連接端子孔徑與安裝定位孔徑一...
- 三菱IGBT模塊CM100MXA-24S CM150DX-24S CM200DX-34S CM300DX-34S
- [中介]采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低二極管采用第6代LPT硅片技術(shù)，正向?qū)▔航档凸杵Y(jié)溫可高達(dá)175°C 硅片運(yùn)行溫度最高可達(dá)150°C 內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻全系列共享同一封裝平臺(tái)有條件接受客戶定制...
- 三菱IGBT模塊CM300DY-24S CM400C1Y-24S CM450DY-24S CM600DY-24S
- [中介]采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低硅片結(jié)溫可高達(dá)175°C 硅片運(yùn)行溫度最高可達(dá)150°C 內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻封裝兼容第五代A/NF系列模塊...
